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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管
焊接二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹近年來PD電源領(lǐng)域，各種大電流充電協(xié)議的迅速普及，對同步整流MOSFET的FOM值要求更為嚴(yán)苛。揚(yáng)杰科技推出先進(jìn)的Copper Clip PDFN5060封裝產(chǎn)品YJG120G10AR/YJG120G10BR，在減小傳統(tǒng)PDFN5060的封裝電阻的同時(shí)，降低了封裝寄生參數(shù)，提高了散熱能力，為客戶帶來更優(yōu)的選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn) ?采用SGT工藝，獲得較低的Rds（on）和Qg，帶來更低的FOM，減小PD方案中的系統(tǒng)損耗 ?對比傳統(tǒng)PDFN5060封裝，Clip產(chǎn)品過流能力強(qiáng)，熱阻低，更寬范圍的SOA，以應(yīng)對PD電源中，各種異常工作狀態(tài)

規(guī)格書

YJG120G10BR YJG120G10AR

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