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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車(chē)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車(chē)電子
IGBT汽車(chē)電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車(chē)電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車(chē)電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車(chē)電子小信號(hào)
小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車(chē)電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車(chē)SiC肖特基二極管
汽車(chē)SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車(chē)電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車(chē)電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

用于散熱風(fēng)扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

用于散熱風(fēng)扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹近年來(lái)服務(wù)器電源的功率要求不斷提升，產(chǎn)品體積小型化的趨勢(shì)下，對(duì)散熱的要求帶來(lái)更加嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。揚(yáng)杰科技近日推出采用TSMT8封裝的N+P雙芯片合封MOSFET，簡(jiǎn)化產(chǎn)品電路橋接結(jié)構(gòu)的同時(shí)保留了工程師應(yīng)用的靈活性，并可較大限度節(jié)省PCB尺寸面積，適用于內(nèi)部空間狹小的各類(lèi)散熱風(fēng)扇產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、產(chǎn)品采用PDFN3030-8L（TSMT8） N+P雙芯框架合封的產(chǎn)品，相對(duì)DFN3333(3.3X3.3mm )同類(lèi)封裝，具有更小的尺寸 (2.8X2.9mm )，更適用于對(duì)于尺寸有極高要求的小型風(fēng)扇；
2、產(chǎn)品具有過(guò)流能力強(qiáng)，熱阻低，更寬范圍的SOA的特點(diǎn)；
3、N MOS與PMOS合封，簡(jiǎn)化電路橋接結(jié)構(gòu)的同時(shí)保留工程師應(yīng)用的靈活性；

規(guī)格書(shū)

YJU3724A YJU4606A