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小信號開關(guān)二極管
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超快恢復(fù)二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管靜電保護二極管功率穩(wěn)壓管

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小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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汽車電子小信號
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MOSFET

ALL MOSFET
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SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

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N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

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SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
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IGBT

IGBT模塊
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模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
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晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護芯片

8寸晶圓

集成電路

負載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 2021年來PV逆變器市場進入高速發(fā)展期，對碳化硅功率器件的需求迅速增大。碳化硅二極管和MOSFET應(yīng)用在諸如BOOST電路等應(yīng)用中，因為第三代半導(dǎo)體材料帶來的高頻特性，可以提高系統(tǒng)的開關(guān)頻率，從而可以優(yōu)化整個系統(tǒng)的能耗和體積。我司碳化硅 MOSFET為匹配PV、EV行業(yè)客戶需求，開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對標行業(yè)最佳；不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用，還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用，采用環(huán)保物料，符合RoHS標準

產(chǎn)品特點 1、耐高溫特性，工作溫度（150°C)；單極性器件,開關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應(yīng)用條件
2、采用先進的減薄工藝，使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性，減小器件能量損耗
3、TO247AB，TO247-4L等多種封裝形式可選
4、通過行業(yè)嚴苛的可靠性認證，包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試

規(guī)格書

YJD212040NCFG1 YJD212040NCTG1

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